2025下半年三星将启用中国存储专利技术生产芯片

快科技2月27日消息，据海外媒体最新报道，三星将于今年下半年起，采用中国存储专利技术来生产相关芯片。

近期，三星电子和中国存储芯片企业长江存储签订了关于开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术的专利许可协议。

消息人士透露，三星计划在2025年下半年量产下一代V10 NAND，届时会运用长江存储的专利技术，尤其是“混合键合”技术。

三星选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要是因为当前长江存储在“混合键合”技术领域处于全球领先位置。而且三星评估后认为，从下一代V10 NAND开始，已无法避开长江存储专利的影响。

对于中国存储行业而言，这无疑是令人振奋的消息，它反映了中国科技从落后到赶超的历程，彰显了自主创新的成果。